سامسونغ تكشف عن HBM4 بسرعات قياسية لتعزيز سباق الذكاء الاصطناعي
أعلنت شركة Samsung Electronics عن تحقيق قفزة نوعية في أداء رقائق الذاكرة من الجيل السادس HBM4، حيث تصل سرعتها إلى 11.7 جيجابت في الثانية مع إمكانية بلوغ 13 جيجابت، متجاوزة بذلك المعيار الصناعي الحالي البالغ 8 جيجابت في الثانية.
كما كشفت الشركة عن النسخة المطورة HBM4E، التي تقدم أداءً أعلى بسرعة تصل إلى 16 جيجابت في الثانية، ما يعكس توجه سامسونغ لتعزيز موقعها في سوق رقائق الذكاء الاصطناعي عالية الأداء.
وجاء هذا الإعلان خلال مؤتمر GPU Technology Conference الذي تنظمه شركة Nvidia، حيث سلطت سامسونغ الضوء على شراكتها الاستراتيجية مع إنفيديا في تطوير تقنيات الحوسبة المرتبطة بالذكاء الاصطناعي، خاصة لمنصة “Vera Rubin”.
وتسعى سامسونغ من خلال هذه الخطوة إلى تعزيز حضورها في سوق HBM4 الناشئة، بالتزامن مع الطفرة العالمية في تطبيقات الذكاء الاصطناعي. وكانت الشركة قد أعلنت سابقًا أنها بدأت الإنتاج الضخم وشحن رقائق HBM4، مع خطط لتوفير عينات HBM4E للعملاء خلال النصف الثاني من العام.
ورغم كونها أكبر مصنع لرقائق الذاكرة عالميًا، واجهت سامسونغ منافسة قوية من شركات مثل SK Hynix وMicron Technology، اللتين سبقتاها في توريد رقائق HBM3 وHBM3E إلى إنفيديا في الأجيال السابقة.
وأكدت سامسونغ خلال المؤتمر أنها تقدم منظومة متكاملة للذكاء الاصطناعي، تشمل الذاكرة والمعالجات والمنطق وخدمات التصنيع والتغليف المتقدم، لتكون واحدة من الشركات القليلة التي توفر حلولًا شاملة في هذا المجال.
من جهته، استعرض الرئيس التنفيذي لشركة إنفيديا Jensen Huang مجموعة من المنتجات الجديدة، مشيرًا إلى أن الشركة تتوقع تحقيق مبيعات تصل إلى تريليون دولار من رقائق “Blackwell” و”Rubin” بحلول عام 2027، في إشارة إلى حجم النمو المتوقع في قطاع الذكاء الاصطناعي عالميًا.
الخلاصة:
تعزز سامسونغ موقعها في سباق الذكاء الاصطناعي عبر تقنيات HBM4 المتطورة، في وقت تحتدم فيه المنافسة العالمية على تلبية الطلب المتزايد على الرقائق عالية الأداء.
